华虹半导体哀求 HBT 器件制造办法专利，提高制造听从

金融界 2025 年 1 月 25 日消息，国度知识产权局信息体现，华虹半导体（无锡）仅限公司、上海华虹宏力半导体制造仅限公司哀求一项名为“HBT 器件的制造办法”的专利，公开号 CN 119342846 A，哀求日期为 2024 年 9 月。

专利择要体现，公开了一种HBT 器件的制造办法，包含：提供一衬底，衬底中构成有断绝层，衬底和断绝层上构成有第一电介质层，第一电介质层上构成有第一多晶硅层，第一多晶硅层上构成有第二电介质层，第二电介质层上构成有第三电介质层，第三电介质层上构成有第四电介质层；第一目标地区的第一多晶硅层、第二电介质层、第三电介质层和第四电介质层，在第一目标地区构成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁构成第五电介质层；去除第四电介质层和第一沟槽下方的第一电介质层，在第一沟槽下方构成第二沟槽，第二沟槽底部的衬底暴露，第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度；在第二沟槽中生长单晶硅层；去除第一沟槽侧壁的第五电介质层；在第一沟槽和第二沟槽中添补锗硅层。

天眼查材料体现，华虹半导体（无锡）仅限公司，建立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息武艺办事业为主的企业。企业注册本钱253685.180069万美元，实缴本钱253685.180069万美元。经过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）仅限公司共对外投资了1家企业，到场招投标项目2928次，专利信息1575条，别的企业还拥有行政允许114个。

本文源自金融界