被制裁1年，长江存储从举世第1，变成落伍三星、SK海力士、美光

克日，举世存储大厂SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。SK海力士表现，与232层产物比拟，单位容量提升了41%，延长低落了13%，功能提升了12%，功耗低落了10%，并且消费听从也提升了59%，算下去本钱降了最少50%。

而三星也表现，本人的300+层的4D NAND闪存，即将推出，而下一代产物将凌驾400层。

相反的另有美光，也表现即将推出300+层的NAND闪存，很分明这三大厂，时隔一年之后，要正式进入300层年代了。

关于NAND产物而言，不克不及一味的提升工艺，由于工艺到达15nm后，再提升的话，NAND闪存就不安定。以是厂商们转向平面布局，多层堆叠，NAND层数越多，意味着存储密度越高，容量密度下的本钱越低。

举个简便例子，各位就可以懂了。从前128层的1TB NAND芯片，必要200块，那么232层时，1TB的NAND芯片，只需100块支配，假如变成321层的话，约莫只需50块了。

以是NAND芯片厂商们，想要提升武艺、低落本钱的办法，不像逻辑芯片一样，提升工艺，而是增长层数，接纳平面布局来堆叠。

内幕上，在232层这个层次，长江存储是举世第一家量产的。

客岁下半年，长江存储成为举世首个量产232层NAND闪存的厂商，然后才是美光、SK海力士、三星。这意味着国产存储是真的支棱起来了。

但也正由于长江存储太精良了，让美国恐惧，以是美国在客岁10月份，对长江存储举行了制裁，长存128层及以上NAND Flash的需求链遭到严峻拦阻，更不要说232层了。

优秀装备买不到，乃至以前买到的优秀装备，后续维修、改换备件都不可，这严峻影响到了长江存储的产能，更紧张的是影响到了武艺提高。

而这也正是美国的目标，原本长江存储武艺举世抢先，那么依托这个232层的武艺，长江存储可以敏捷抢占市场，博得最为名贵的窗口时期。

但美国的制裁一下去，这个窗口时期就没有了，然后美光、三星、SK海力士等追了上去，直到如今这三大厂商，在武艺上还反超了，让长存从抢先变成了落伍。

而一旦这些厂商300+层的NAND闪存推出，市场徐徐的就会又被这些厂商抢走。

可见，依托他人武艺的打破，真的照旧有风险的，一旦他人举行制裁，武艺提高路途约莫就会被打断，从而显现危急。

我们必要的，照旧全产业链的打破，举个例子，假如长江存储的232层打破，是基于国产装备的打破，那美国的制裁将毫偶然义。

以是，国产半导体加油吧，我们不仅仅必要的是武艺打破，更必要全产业链都跟上去，没有短板才行。