意法半导体国际公司取得集告捷率器件及HEMT晶体管专利，克制了已知方案中的器件所存在的功能方面的某些限定

金融界2024年12月16日消息，国度知识产权局信息体现，意法半导体国际公司取得一项名为“集告捷率器件及HEMT晶体管”的专利，受权告示号CN 222146239 U，哀求日期为2024年3月。

专利择要体现，公开了集告捷率器件及HEMT晶体管。集告捷率器件包含：具有沟道层和拦截层的异质布局、源极交往、漏极交往、和被安插在拦截层上、源极交往和漏极交往之间的栅极地区。绝缘场布局被安插在拦截层上、栅极地区和漏极交往之间。场板在绝缘场布局上方延伸。绝缘场布局包含在拦截层上的由第一电介质质料制成的第一电介质地区和在第一电介质地区上的由第二电介质质料制成的第二电介质地区，第二电介质质料干系于第一电介质质料是选择性地可刻蚀的。在绝缘场布局朝向栅极地区的一侧上，场板与第一电介质地区交往。本实用新型的武艺克制了已知方案中的器件所存在的功能方面的某些限定。

本文源自金融界