中芯集成电路（宁波）仅限公司哀求半导体工艺办法专利，提升对应的工艺良率

金融界2024年12月25日消息，国度知识产权局信息体现，中芯集成电路（宁波）仅限公司哀求一项名为“半导体工艺办法”的专利，公开号CN 119170560 A，哀求日期为2023年6月。

专利择要体现，本哀求公开一种半导体工艺办法，包含：构成衬底和第一氧化层，所述第一氧化层位于所述衬底外表，所述衬底和所述第一氧化层内包含多个沟槽，各个所述沟槽暴露或贯串所述衬底；构成保形掩盖各个所述沟槽，并掩盖所述第一氧化层外表的导电层；构成保形掩盖所述导电层的保护层；刻蚀局部所述保护层，以暴露所述导电层的外表和局部侧壁；去除暴露的所述导电层；去除所述保护层。本哀求可以高效准确地去除沟槽中指定地点以上的导电层，制止对氧化层的顶部和拐角处等地点形成损伤，可以提升对应的工艺良率，提供终极所成半导体器件的功能。

本文源自金融界