SLC、MLC和TLC闪存有什么区别？

在Flash闪存的两个典范NOR Flash和NAND Flash中，NAND Flash因其容量较大、改写速率快等优点，取得了越来越广泛的使用。

Flash闪存使用浮栅布局。浮栅中存储的电荷几多取决于外部栅（如图CG）电压。而NAND Flash数据的表现是以所存储的电荷的电压对否凌驾一个特定的阈值电压Vth来表现的。

浮栅布局

以是，NAND Flash依照内里存储数据单位的电压的不同条理（大概说单位存储密度）来分，可以分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC、HLC。对应1个存储单位分散可存放1、2、3、4、5、6bit的数据。

SLC：Single Level Cell。

早前的NAND Flash，只必要推断悬浮闸内对否有电荷。假定有电荷为“1”，则无电荷就是“0”。一个基本储存单位只储存1bit数据。这种NAND Flash被称为SLC。它的读写利用简便快速。速率快寿命长，价格贵，约10万次擦写寿命。

MLC：Multiple Level Cell。

厥后提超过一种新的NAND Flash，一个基本储存单位内可以储存2bit数据。用四个参考电压值去比力，接近哪个品级就推断为哪个值。由于读写历程都要举行电平比力，以是MLC的读写比SLC慢很多。速率寻常寿命寻常，价格寻常，约3000~10000次擦写寿命。

TLC：Triple Level Cell。

也有Flash厂家叫8LC。TLC则是在一个基本储存单位内储存3bit数据。原理和MLC一样，八个比力电压。由于读写历程中要比力的参考值比力多，以是，TLC的读写速率比MLC更慢。速率慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命，随着武艺几步，如今可达1000~2000次。

QLC：Quadruple Level Cell。

QLC则是在一个基本储存单位内储存4bit数据。原理和MLC一样，十六个比力电压。由于读写历程中要比力的参考值又增长，以是，QLC的读写速率比TLC更慢。

PLC：Pentuple Level Cell。

PLC则是在一个基本储存单位内储存5bit数据。原理和MLC一样，三十二个比力电压。由于读写历程中要比力的参考值更多了，以是，PLC的读写速率比QLC更慢。

HLC：Hextuple Level Cell。

HLC则是在一个基本储存单位内储存6bit数据。原理和MLC一样，六十四个比力电压。由于读写历程中要比力的参考值更多了，以是，HLC的读写速率比PLC更慢。

由于多层的存储单位必要更多的比力电压，因此可比力电压范围更小，也就更容易出错，寿命也就随之变小。

关于擦写寿命，有人担心我的SSD硬盘就是TLC的，假如仅有几百次的擦写寿命，那还能用吗？但是各位有这个担心大多是对“擦写次数”的曲解。这里的“擦写次数”并非是通常以为的写随意文件的次数，而是“全擦写次数”。

SSD硬盘

以SSD硬盘为例，要表明“全擦写”就要先看看为了处理寿命成绩SSD所接纳的特别软件算法：磨损均衡（Wear Leveling）算法。

磨损均衡算法是为了使闪存磨损水平尽力坚持一律，分为动态和静态两种。

动态：当有新数据写入时，会向较新的地点优先写入。

静态：当没多数据写入的时分，会监测哪些地点比力老旧，会把这些老旧的地点作为安稳存储地点，不承当写入新数据的职责，如此腾出较新的地点作为平常数据读写使用。

如此一来，经过磨损均衡算法，一次“全擦写”即表现要写满整个存储空间之后再整个擦除。假定100G的SSD硬盘，擦写次数1000次，那么必要统共写入100G*1000 = 100T的数据量才会显现毁坏。以是看上去擦写寿命仅千次，但实践可写的数据量还好坏常可观的。

固然，除了上述的磨损均衡算法之外，另有其他办法确保我们使用的SSD的硬盘寿命，好比纠错算法、冗余空间、吸收算法等，以是一个擦写次数的目标并非影响寿命的相对要素，而随着武艺提高，SSD硬盘的寿命也会更长。