boot(细说Buck【8】Boot电容（自举电容）)

细说Buck【8】Boot电容（自举电容）

细说Buck【0】关于“Buck”为什么叫“Buck”

细说Buck【1】事情历程

细说Buck【2】事情波形1

细说Buck【3】CCM、DCM、BCM

细说Buck【4】输入电容

细说Buck【5】Buck电路的斲丧

细说Buck【6】输入电流怎样检测的

细说Buck【7】输入电容

Buck电路必要控制“上管”掀开，此时上管的S极为输入电压Vin，Buck控制器必要取得超过Vin的电压，经过自举电路升压取得，比Vin高的电压，完成这种本人把本人电压举高的主要依托一个电容，这个电容我们就把它称之为“自举电容”。

自举是指经过开关电源MOS管（上管）和电容构成的升压电路,经过电源对电容充电致其电压高于Vin。最简便的自举电路由一个电容构成，为了避免上升后的电压回灌到原始的输入电压，会加一个二极管。自举的利益在于使用电容两头电压不克不及渐变的特性来上升电压。举个例子来说，如图5.24所示，假如在MOS的G极与S极直接入一个小电容，在MOS未导通时给电容充电，在MOS导通，S极电压上升后，主动将外表驱动器的供电电压电压上升，如此驱动器的输入电压也随之而上升，毗连到上管的G极。如此上管的G极产生高压，使得G极和S极之间有充足的压差Vgs，便可使上管MOS坚持持续导通。

图5.24 Boot电容事情原理

关于MOSFET，导通的条件是栅-源极（G极和S极）之间的电压(Vgs)大于某个阈值，当G极和S极之间电压大于这个阈值之后MOSFET就开头导通。如图5.25所示，关于低端的管子Q2，由于其源极接地，以是当要求Q2导通时，只需在Q2的栅极加个一定的电压即可；但是，关于高端的管子Q1，由于其源极的电压Vs是浮动的，则不佳在其栅极上施加电压以使Q1的Vgs满意导通条件。试想，抱负下，Q2的导通电阻为0，即导通时，Q2的Vds为0，则Vs≈Vd，则要求Q2的栅极电压Vg大于Vs。又由于Vd的电压约即是Vs的电压，Vd电压就是Vin，以是在电路中必要产生一个高于输入电压的电压值。

假如想驱动上管，必要使用一些办法产生高压，比如变压器、升压电路、电感等。自举电容电路驱动IC具有简便、实用的特点，现在被广泛地使用。底下扼要地形貌Boot电容的自举的事情历程，目标是理清自举的事情原理，更公道地计划电路、布局布线和器件选型。

1. 电路简图

如图5.26所示 ，这电路并不生疏，二极管D1和电容C1分散被称为自举二极管和自举电容，有些IC把自举二极管集成到IC内里。

2. 充电历程

可以了解，IC为了避免直通，会克制同时上下管导通。如图5.26是下管导通电流流向的表现图。

图5.26 下管导通的电流流向

如上图所示，上管关闭，而下管开启，这时泵二极管D1和自举电容C1构成充电回路。由上图可以取得，输入电源Vin颠末二极管、自举电容、再颠末下管、再到地（电源负极），它们构成回路，对电容举行充电，使电容两边的电压为Vin 。

3. 放电历程

这时再分析下管关闭的情况，如下图5.27所示：

图5.27 下管关闭，上管掀开历程对Boot电容充电

由于下管关闭，上文所述的回路被截断，泵二极管处于反向停止。由于上管开启，以是Vg = VcBoot + Vs。我们以为驱动器输入的电压值近似为其供电电压VcBoot，即：Boot电容两头的电压。

电容会坚持电压厘革一连，Vc电压会随着放电渐徐徐小，不会渐变。由于充电历程中，电容已被充电，以是Vc的电压约莫为Vin。即上管的Vgs = Vin。这个电压充足开启上管的MOSFET。

至此，已完成一个PWM周期内，自举电路的事情历程，可以了解为自举电容的充放电历程。

细说Buck【0】关于“Buck”为什么叫“Buck”

细说Buck【1】事情历程

细说Buck【2】事情波形1

细说Buck【3】CCM、DCM、BCM

细说Buck【4】输入电容

细说Buck【5】Buck电路的斲丧

细说Buck【6】输入电流怎样检测的

细说Buck【7】输入电容

——册本保举——

本专辑【细说Buck】会收录到硬十第三本书中