上海积塔半导体申请SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法专利，二极管导通电压低，漏电小，抗浪涌能力强

上海积塔半导体哀求SiC结势垒肖特基二极管及其制备办法专利，二极管导通电压低，泄电小，抗浪涌才能强

金融界2024年12月5日消息，国度知识产权局信息体现，上海积塔半导体仅限公司哀求一项名为“SiC结势垒肖特基二极管及其制备办法”的专利，公开号 CN 119069542 A，哀求日期为2024年8月。

专利择要体现，本创造提供了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制备办法。该二极管包含第一导电典范的SiC衬底；第一导电典范的SiC外表层，位于第一外表；第二导电典范的阱区，从SiC外表层阔别SiC衬底的一面延伸进入SiC外表层；阱区包含多个第一阱区和第二阱区，第一阱区的宽度随伸入至SiC外表层的深度渐渐减小，第一阱区在SiC衬底上的垂直投影为圆形；SiC外表层包含结势垒区和终端区，终端区自结势垒区的落幕端阔别结势垒区的两侧延伸设置；第一阱区位于结势垒区，第二阱区位于所述终端区；介质层，掩盖终端区上；第一电极层，掩盖结势垒区上；第二电极层，位于SiC衬底的所述第二外表上本创造提供的二极管导通电压低，泄电小，抗浪涌才能强。

本文源自金融界